常見的筆記本硬盤外殼有哪一些?
基于 閃存的固態(tài)硬盤是固態(tài)硬盤的主要類別,其內(nèi)部 構(gòu)造十分簡(jiǎn)單,固態(tài)硬盤內(nèi)主體其實(shí)就是一塊 PCB板,而這塊PCB板上基本的配件就是控制芯片,緩存芯片(部分低端硬盤無(wú)緩存芯片)和用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的閃存芯片。
市面上比較常見的筆記本硬盤外殼有 LSISandForce、Indilinx、JMicron、 Marvell、Phison、Goldendisk、 Samsung以及 Intel等多種主控 芯片。主控芯片是固態(tài)硬盤的 大腦,其作用一是合理調(diào)配數(shù)據(jù)在各個(gè)閃存芯片上的負(fù)荷,二則是承擔(dān)了整個(gè) 數(shù)據(jù)中轉(zhuǎn),連接閃存芯片和外部SATA接口。不同的主控之間能力相差非常大,在數(shù)據(jù)處理能力、算法,對(duì) 閃存芯片的讀取寫入控制上會(huì)有非常大的不同,直接會(huì)導(dǎo)致固態(tài)硬盤產(chǎn)品在性能上差距高達(dá)數(shù)十倍。
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筆記本硬盤外殼的閃存芯片的定價(jià)
3D NAND的應(yīng)用并不順利,這導(dǎo)致了其價(jià)格下滑。由于其生產(chǎn)問題已經(jīng)解決,3D NAND是一項(xiàng)堅(jiān)實(shí)的技術(shù)。其價(jià)格再次開始下滑,但與HDD硬盤的價(jià)格差距仍然大致為三比一。
這一差距為HDD硬盤制造商提供了一些解決方案,但存儲(chǔ)分層也會(huì)影響整個(gè)集群的總體擁有成本,因此即使在大容量存儲(chǔ)中,也會(huì)考慮采用筆記本硬盤外殼。
2018年,將會(huì)有更多新的閃存代工廠正在投產(chǎn)。結(jié)合向3D NAND、芯片堆疊和QLC技術(shù)的發(fā)展,他們將生產(chǎn)新一代大容量的主要讀取存儲(chǔ)器,它將取代二級(jí)存儲(chǔ)空間,成為比任何HDD硬盤解決方案成本更低和更緊湊的選擇。同樣,對(duì)于任何給定容量,將需要更少的存儲(chǔ)設(shè)備。
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