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DDR3與DDR2內(nèi)存的區(qū)別——華睿優(yōu)創(chuàng)專業(yè)生產(chǎn)

DDR3內(nèi)存與DDR2一樣是240Pin DIMM接口，不過兩者的防呆缺口位置是不同的，不能混插，常見的容量是512MB到8GB，當(dāng)然也有單條16GB的DDR3內(nèi)存，只不過很稀少。頻率方面從800MHz起步，目前比較容量買到高的頻率是2400MHz，實(shí)際上有廠家推出了3100MHz的DDR3內(nèi)存，只是比較難買得到，支持DDR3內(nèi)存的平臺有Intel的后期的LGA 775主板P35、P45、x38、x48等，LGA 1366平臺，LGA 115x系列全都支持還有LGA 2011的x79，AMD方面AM3、AM3＋、FM1、FM3接口的產(chǎn)品全都支持DDR3。

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內(nèi)存條卡座的參數(shù)變化——華睿優(yōu)創(chuàng)專業(yè)生產(chǎn)

DDR2的標(biāo)準(zhǔn)電壓下降至1.8V，這使得它較上代產(chǎn)品更為節(jié)能，DDR2的頻率從400MHz到1200MHz，當(dāng)時(shí)的主流的是DDR2－800，更高頻率其實(shí)都是超頻條，容量從256MB起步4GB，不過4GB的DDR2是很少的，在DDR2時(shí)代的末期大多是單條2GB的容量。

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內(nèi)存條卡座的發(fā)展歷史——華睿優(yōu)創(chuàng)專業(yè)生產(chǎn)

Rambus DRAM內(nèi)存

在選擇SDR SDRAM的繼任者的時(shí)候Intel選擇了與Rambus合作并推出了Rambus DRAM內(nèi)存，通常都會被簡稱為RDRAM，它與SDRAM不同，采用了新的高速簡單內(nèi)存架構(gòu)，基于RISC理論，這樣可以減少數(shù)據(jù)復(fù)雜性提高整個(gè)系統(tǒng)的性能。

RDRAM采用RIMM插槽，184pin，總線位寬16bit，插兩條組建雙通道時(shí)就是32bit，工作電壓2.5V，當(dāng)時(shí)的頻率有600、700、800、1066MHz等。

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