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內(nèi)存條卡座的發(fā)展——華睿優(yōu)創(chuàng)專業(yè)生產(chǎn)

內(nèi)存在PC中是一個(gè)巨大的緩沖區(qū)，CPU所需訪問與處理的數(shù)據(jù)都會經(jīng)過這里，雖說CPU內(nèi)部也有各級緩存，但是容量空間是無法與內(nèi)存相比的，隨著CPU的處理能力不斷的提高，內(nèi)存的速度與容量也在不斷的提升，每隔幾年就會更新?lián)Q代，同時(shí)內(nèi)存條卡座伴隨著內(nèi)存條的發(fā)展也更新迭代了。

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內(nèi)存條卡座的發(fā)展歷史——華睿優(yōu)創(chuàng)專業(yè)生產(chǎn)

FPM DRAM

FPM DRAM是從早期的Page Mode DRAM上改良過來的，當(dāng)它在讀取同一列數(shù)據(jù)是，可以連續(xù)傳輸行位址，不需要再傳輸列位址，可讀出多筆資料，這種方法當(dāng)時(shí)是很先進(jìn)的，不過現(xiàn)在看來就很沒效率。

FPM DRAM有30pin SIMM和72pin SIMM兩種，前者常見于286、386和486的電腦上，后者則常見于486與早期型的奔騰電腦上，30pin的常見容量是256KB，72pin的容量從512KB到2MB都有。

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展望未來的DDR5內(nèi)存——華睿優(yōu)創(chuàng)專業(yè)生產(chǎn)

現(xiàn)在DDR4還沒普及談DDR5可能有點(diǎn)早，DDR5內(nèi)存目前還在研發(fā)階段，尚未有具體規(guī)范，所以廠商公布的很多規(guī)格都不是確定的，其目標(biāo)是相比DDR4內(nèi)存至少帶寬翻倍，容量更大，同時(shí)更加節(jié)能，具體來說就是數(shù)據(jù)頻率從目前1.6－3.2Gbps的水平提升到3.2－6.4Gbps，預(yù)取位寬從8bit翻倍到16bit，內(nèi)存庫提升到16－32個(gè)。至于電壓，DDR4電壓已經(jīng)降至1.2v，DDR5有望降至1.1v或者更低。

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